IPS12CN10LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPS12CN10LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 528 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm

Encapsulados: TO251

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IPS12CN10LG datasheet

 4.1. Size:614K  infineon
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IPS12CN10LG

IPS12CN10L G IPP12CN10L G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, logic level RDS(on),max 12 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 69 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high

 4.2. Size:261K  inchange semiconductor
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IPS12CN10LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS12CN10L FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

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