IPS12CN10LG Todos los transistores

 

IPS12CN10LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPS12CN10LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 528 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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IPS12CN10LG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:614K  infineon
 ipp12cn10l-g ips12cn10l-g.pdf pdf_icon

IPS12CN10LG

IPS12CN10L GIPP12CN10L GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 100 V N-channel, logic levelRDS(on),max 12mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 69 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high

 4.2. Size:261K  inchange semiconductor
 ips12cn10l.pdf pdf_icon

IPS12CN10LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS12CN10LFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

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History: FDS6688AS | KIA5N60E | QM6006M6 | TK40F08K3 | APT42F50S | AP9412AGI | APT42F50B

 

 
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