Справочник MOSFET. IPS12CN10LG

 

IPS12CN10LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPS12CN10LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 528 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS12CN10LG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:614K  infineon
 ipp12cn10l-g ips12cn10l-g.pdf pdf_icon

IPS12CN10LG

IPS12CN10L GIPP12CN10L GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 100 V N-channel, logic levelRDS(on),max 12mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 69 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high

 4.2. Size:261K  inchange semiconductor
 ips12cn10l.pdf pdf_icon

IPS12CN10LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS12CN10LFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Другие MOSFET... IPS040N03LG , IPS050N03LG , IPS060N03LG , IPS075N03LG , IPS090N03LG , IPS105N03LG , IPS110N12N3G , IPS118N10NG , RU6888R , IPS135N03LG , IPS50R520CP , IPU039N03LG , IPU050N03LG , IPU060N03LG , IPU075N03LG , IPU090N03LG , IPU103N08N3G .

 

 
Back to Top

 


 
.