IPU039N03LG Todos los transistores

 

IPU039N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPU039N03LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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IPU039N03LG Datasheet (PDF)

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IPU039N03LG

Type IPF039N03L GIPU039N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

Otros transistores... IPS075N03LG , IPS090N03LG , IPS105N03LG , IPS110N12N3G , IPS118N10NG , IPS12CN10LG , IPS135N03LG , IPS50R520CP , IRF9640 , IPU050N03LG , IPU060N03LG , IPU075N03LG , IPU090N03LG , IPU103N08N3G , IPU135N03LG , IPU135N08N3G , IPW50R140CP .

History: FQB15P12TM | FQB16N25CTM

 

 
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