Справочник MOSFET. IPU039N03LG

 

IPU039N03LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPU039N03LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IPU039N03LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU039N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  1
 ipu039n03lg ipf039n03lg.pdf pdf_icon

IPU039N03LG

Type IPF039N03L GIPU039N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

Другие MOSFET... IPS075N03LG , IPS090N03LG , IPS105N03LG , IPS110N12N3G , IPS118N10NG , IPS12CN10LG , IPS135N03LG , IPS50R520CP , NCEP15T14 , IPU050N03LG , IPU060N03LG , IPU075N03LG , IPU090N03LG , IPU103N08N3G , IPU135N03LG , IPU135N08N3G , IPW50R140CP .

History: IPP65R380E6 | ME7632S | IXFH26N50P | SI2334DS | STU6NF10 | HGI2K4N25ML | MX2N4861

 

 
Back to Top

 


 
.