IPU090N03LG Todos los transistores

 

IPU090N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPU090N03LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPU090N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  1
 ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdf pdf_icon

IPU090N03LG

Type IPD090N03L G IPF090N03L GIPS090N03L G IPU090N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

 9.1. Size:413K  infineon
 ipd09n03la ipf09n03la ips09n03la ipu09n03la.pdf pdf_icon

IPU090N03LG

IPD09N03LA IPF09N03LAIPS09N03LA IPU09N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 8.6mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationI 50 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP0203GMT-HF | IRFN150SMD | TK200F04N1L | CS4N70P | BRCS3205RA | 2N6904 | SML901R1AN

 

 
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