IPU090N03LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPU090N03LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO251

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IPU090N03LG datasheet

 ..1. Size:538K  1
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IPU090N03LG

Type IPD090N03L G IPF090N03L G IPS090N03L G IPU090N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low

 9.1. Size:413K  infineon
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IPU090N03LG

IPD09N03LA IPF09N03LA IPS09N03LA IPU09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.6 m DS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance 175 C

Otros transistores... IPS118N10NG, IPS12CN10LG, IPS135N03LG, IPS50R520CP, IPU039N03LG, IPU050N03LG, IPU060N03LG, IPU075N03LG, IRF830, IPU103N08N3G, IPU135N03LG, IPU135N08N3G, IPW50R140CP, IPW50R199CP, IPW50R250CP, IPW50R299CP, IPW50R350CP