IPU090N03LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPU090N03LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IPU090N03LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU090N03LG даташит

 ..1. Size:538K  1
 ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdf pdf_icon

IPU090N03LG

Type IPD090N03L G IPF090N03L G IPS090N03L G IPU090N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low

 9.1. Size:413K  infineon
 ipd09n03la ipf09n03la ips09n03la ipu09n03la.pdf pdf_icon

IPU090N03LG

IPD09N03LA IPF09N03LA IPS09N03LA IPU09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.6 m DS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance 175 C

Другие IGBT... IPS118N10NG, IPS12CN10LG, IPS135N03LG, IPS50R520CP, IPU039N03LG, IPU050N03LG, IPU060N03LG, IPU075N03LG, IRF830, IPU103N08N3G, IPU135N03LG, IPU135N08N3G, IPW50R140CP, IPW50R199CP, IPW50R250CP, IPW50R299CP, IPW50R350CP