IPU103N08N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPU103N08N3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0103 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de IPU103N08N3G MOSFET
IPU103N08N3G Datasheet (PDF)
ipu103n08n31.pdf
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Liste
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