IPU103N08N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPU103N08N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0103 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IPU103N08N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU103N08N3G даташит

 3.1. Size:613K  infineon
 ipu103n08n31.pdf pdf_icon

IPU103N08N3G

 9.1. Size:1239K  1
 ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf pdf_icon

IPU103N08N3G

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D S !4EF EI

Другие IGBT... IPS12CN10LG, IPS135N03LG, IPS50R520CP, IPU039N03LG, IPU050N03LG, IPU060N03LG, IPU075N03LG, IPU090N03LG, IRLB3034, IPU135N03LG, IPU135N08N3G, IPW50R140CP, IPW50R199CP, IPW50R250CP, IPW50R299CP, IPW50R350CP, IPW50R399CP