Справочник MOSFET. IPU103N08N3G

 

IPU103N08N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPU103N08N3G
   Маркировка: 103N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0103 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для IPU103N08N3G

 

 

IPU103N08N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:613K  infineon
 ipu103n08n31.pdf

IPU103N08N3G IPU103N08N3G

$( " " (TM) $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m xR ( AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CDDR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ( & D n)R ' 492??6= ?@C>2= =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R )3 7C66 A=2E:?8 + @", 4@>A=:2?E1)R * F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DType #). ' ' !Package G O 1

 9.1. Size:1239K  1
 ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf

IPU103N08N3G IPU103N08N3G

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top