Справочник MOSFET. IPU103N08N3G

 

IPU103N08N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPU103N08N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0103 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IPU103N08N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU103N08N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:613K  infineon
 ipu103n08n31.pdf pdf_icon

IPU103N08N3G

$( " " (TM) $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m xR ( AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CDDR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ( & D n)R ' 492??6= ?@C>2= =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R )3 7C66 A=2E:?8 + @", 4@>A=:2?E1)R * F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DType #). ' ' !Package G O 1

 9.1. Size:1239K  1
 ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf pdf_icon

IPU103N08N3G

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

Другие MOSFET... IPS12CN10LG , IPS135N03LG , IPS50R520CP , IPU039N03LG , IPU050N03LG , IPU060N03LG , IPU075N03LG , IPU090N03LG , 60N06 , IPU135N03LG , IPU135N08N3G , IPW50R140CP , IPW50R199CP , IPW50R250CP , IPW50R299CP , IPW50R350CP , IPW50R399CP .

History: HX2N60 | BUK9MMM-55PNN | 2SK3107 | AU6N70S | APT8052BFLL | SUM110P06-08L | DMP3035SFG

 

 
Back to Top

 


 
.