IPU103N08N3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPU103N08N3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0103 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IPU103N08N3G
IPU103N08N3G Datasheet (PDF)
ipu103n08n31.pdf

$( " " (TM) $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m xR ( AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CDDR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ( & D n)R ' 492??6= ?@C>2= =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R )3 7C66 A=2E:?8 + @", 4@>A=:2?E1)R * F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DType #). ' ' !Package G O 1
ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI
Другие MOSFET... IPS12CN10LG , IPS135N03LG , IPS50R520CP , IPU039N03LG , IPU050N03LG , IPU060N03LG , IPU075N03LG , IPU090N03LG , 60N06 , IPU135N03LG , IPU135N08N3G , IPW50R140CP , IPW50R199CP , IPW50R250CP , IPW50R299CP , IPW50R350CP , IPW50R399CP .
History: STL75N3LLZH5 | IRF610LPBF | SDF4N100JAA | DH025N03E | AP8600MT-L | AON7442 | STB6NK60Z-1
History: STL75N3LLZH5 | IRF610LPBF | SDF4N100JAA | DH025N03E | AP8600MT-L | AON7442 | STB6NK60Z-1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor