IPW65R280E6 Todos los transistores

 

IPW65R280E6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPW65R280E6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de IPW65R280E6 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPW65R280E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1885K  infineon
 ipw65r280e6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

MOSFET+

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipw65r280e6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPW65R280E6IIPW65R280E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)280mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSS

 5.1. Size:1337K  infineon
 ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C665 C lMO C6 e n i t I x65 280C6D t eetRev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , ==:$&)G '=D3?*?/

 5.2. Size:2104K  infineon
 ipw65r280c6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

MOSFET+

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IPW60R199CP , IPW60R250CP , IPW60R280C6 , IPW60R280E6 , IPW60R299CP , IPW65R070C6 , IPW65R080CFD , IPW65R280C6 , P55NF06 , IPW65R660CFD , IPW90R120C3 , IPW90R1K0C3 , IPW90R1K2C3 , IPW90R340C3 , IPW90R500C3 , IPW90R800C3 , SPA02N80C3 .

History: SSM4500GM | STF100N10F7 | DMN4036LK3

 

 
Back to Top

 


 
.