IPW65R280E6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPW65R280E6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPW65R280E6

IPW65R280E6 Datasheet (PDF)

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MOSFET+

..2. Size:242K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPW65R280E6IIPW65R280E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)280mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSS

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ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdf

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C665 C lMO C6 e n i t I x65 280C6D t eetRev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , ==:$&)G '=D3?*?/

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MOSFET+

5.3. Size:242K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPW65R280C6IIPW65R280C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)280mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSS

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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