IPW65R280E6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPW65R280E6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IPW65R280E6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPW65R280E6 даташит

 ..1. Size:1885K  infineon
 ipw65r280e6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

MOSFET +

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipw65r280e6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPW65R280E6 IIPW65R280E6 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 280m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 650 V DSS

 5.1. Size:1337K  infineon
 ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C6 65 C lMO C6 e n i t I x65 280C6 D t eet Rev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , == $&)G '=D3? *?/

 5.2. Size:2104K  infineon
 ipw65r280c6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

MOSFET +

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPW60R199CP, IPW60R250CP, IPW60R280C6, IPW60R280E6, IPW60R299CP, IPW65R070C6, IPW65R080CFD, IPW65R280C6, IRF3710, IPW65R660CFD, IPW90R120C3, IPW90R1K0C3, IPW90R1K2C3, IPW90R340C3, IPW90R500C3, IPW90R800C3, SPA02N80C3