Справочник MOSFET. IPW65R280E6

 

IPW65R280E6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPW65R280E6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IPW65R280E6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPW65R280E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1885K  infineon
 ipw65r280e6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

MOSFET+

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipw65r280e6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPW65R280E6IIPW65R280E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)280mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSS

 5.1. Size:1337K  infineon
 ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C665 C lMO C6 e n i t I x65 280C6D t eetRev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , ==:$&)G '=D3?*?/

 5.2. Size:2104K  infineon
 ipw65r280c6.pdf pdf_icon

IPW65R280E6

MOSFET+

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPW60R199CP , IPW60R250CP , IPW60R280C6 , IPW60R280E6 , IPW60R299CP , IPW65R070C6 , IPW65R080CFD , IPW65R280C6 , P55NF06 , IPW65R660CFD , IPW90R120C3 , IPW90R1K0C3 , IPW90R1K2C3 , IPW90R340C3 , IPW90R500C3 , IPW90R800C3 , SPA02N80C3 .

History: GSM3405 | AOD9N52 | AOB450A70L | FQD8N25TF | 2SK1888 | CMD50N06B | MPSD65M390

 

 
Back to Top

 


 
.