SPA12N50C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPA12N50C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO220FP

 Búsqueda de reemplazo de SPA12N50C3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SPA12N50C3 datasheet

 ..1. Size:844K  1
 spa12n50c3 spi12n50c3 spp12n50c3.pdf pdf_icon

SPA12N50C3

SPP12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11.6 A Ultra low gate charge PG-TO220-3-31 PG-TO262- PG-TO220 Periodic avalanche rated 2 Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 3 2 1 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance P-TO220-3

Otros transistores... SPA07N60CFD, SPA07N65C3, SPA08N50C3, SPA08N80C3, SPA11N60C3, SPA11N60CFD, SPA11N65C3, SPA11N80C3, K4145, SPA15N60C3, SPA15N60CFD, SPA15N65C3, SPA16N50C3, SPA17N80C3, SPA20N60C3, SPA20N60CFD, SPA20N65C3