Справочник MOSFET. SPA12N50C3

 

SPA12N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPA12N50C3
   Маркировка: 12N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA12N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  1
 spa12n50c3 spi12n50c3 spp12n50c3.pdf pdf_icon

SPA12N50C3

SPP12N50C3SPI12N50C3, SPA12N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11.6 A Ultra low gate chargePG-TO220-3-31 PG-TO262- PG-TO220 Periodic avalanche rated2 Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances 2 3211P-TO220-3-31 Improved transconductanceP-TO220-3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SP8076EL | HFS9N50

 

 
Back to Top

 


 
.