SPA21N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPA21N50C3
   Código: 21N50C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 95 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP

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SPA21N50C3 Datasheet (PDF)

..1. Size:751K infineon
spp21n50c3 spi21n50c3 spa21n50c3.pdf

SPP21N50C3SPI21N50C3, SPA21N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 21 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220FP P G-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21 Ultra low effective capacitances Improved transconductance

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Liste

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