Справочник MOSFET. SPA21N50C3

 

SPA21N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPA21N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для SPA21N50C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA21N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  infineon
 spp21n50c3 spi21n50c3 spa21n50c3.pdf pdf_icon

SPA21N50C3

SPP21N50C3SPI21N50C3, SPA21N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 21 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220FP P G-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21 Ultra low effective capacitances Improved transconductance

Другие MOSFET... SPA15N60C3 , SPA15N60CFD , SPA15N65C3 , SPA16N50C3 , SPA17N80C3 , SPA20N60C3 , SPA20N60CFD , SPA20N65C3 , IRLB4132 , SPB80N06S-08 , SPB02N60C3 , SPB02N60S5 , SPB03N60C3 , SPB03N60S5 , SPB04N50C3 , SPB04N60C3 , SPB04N60S5 .

History: STV200N55F3 | 2SK1546 | OSG65R900ATF | CEU83A3 | CED3172 | SM2F07NSU

 

 
Back to Top

 


 
.