Справочник MOSFET. SPA21N50C3

 

SPA21N50C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPA21N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP

 Аналог (замена) для SPA21N50C3

 

 

SPA21N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  infineon
 spp21n50c3 spi21n50c3 spa21n50c3.pdf

SPA21N50C3 SPA21N50C3

SPP21N50C3SPI21N50C3, SPA21N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 21 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220FP P G-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21 Ultra low effective capacitances Improved transconductance

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top