SPA21N50C3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SPA21N50C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для SPA21N50C3
SPA21N50C3 Datasheet (PDF)
spp21n50c3 spi21n50c3 spa21n50c3.pdf
SPP21N50C3SPI21N50C3, SPA21N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 21 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220FP P G-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21 Ultra low effective capacitances Improved transconductance
Другие MOSFET... SPA15N60C3 , SPA15N60CFD , SPA15N65C3 , SPA16N50C3 , SPA17N80C3 , SPA20N60C3 , SPA20N60CFD , SPA20N65C3 , CS150N03A8 , SPB80N06S-08 , SPB02N60C3 , SPB02N60S5 , SPB03N60C3 , SPB03N60S5 , SPB04N50C3 , SPB04N60C3 , SPB04N60S5 .
History: IRFIZ44G | DH045N06E | IRFNJ540 | VBZM80N04
History: IRFIZ44G | DH045N06E | IRFNJ540 | VBZM80N04
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet


