SPB03N60S5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPB03N60S5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO263

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SPB03N60S5 datasheet

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SPB03N60S5

SPB03N60S5 Cool MOS Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technology ID 3.2 A Ultra low gate charge PG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPB03N60S5 PG-TO263 Q67040-S4197 03N60S5 Maximum Ratings Para

 6.1. Size:484K  infineon
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SPB03N60S5

VDS Tjmax G G

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SPB03N60S5

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB03N60C3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

Otros transistores... SPA20N60C3, SPA20N60CFD, SPA20N65C3, SPA21N50C3, SPB80N06S-08, SPB02N60C3, SPB02N60S5, SPB03N60C3, TK10A60D, SPB04N50C3, SPB04N60C3, SPB04N60S5, SPB07N60C3, SPB07N60S5, SPB08P06PG, SPB100N03S2-03G, SPB10N10LG