SPB03N60S5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPB03N60S5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SPB03N60S5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB03N60S5 даташит

 ..1. Size:347K  infineon
 spb03n60s5.pdf pdf_icon

SPB03N60S5

SPB03N60S5 Cool MOS Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technology ID 3.2 A Ultra low gate charge PG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPB03N60S5 PG-TO263 Q67040-S4197 03N60S5 Maximum Ratings Para

 6.1. Size:484K  infineon
 spb03n60c3.pdf pdf_icon

SPB03N60S5

VDS Tjmax G G

 6.2. Size:258K  inchange semiconductor
 spb03n60c3.pdf pdf_icon

SPB03N60S5

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB03N60C3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

Другие IGBT... SPA20N60C3, SPA20N60CFD, SPA20N65C3, SPA21N50C3, SPB80N06S-08, SPB02N60C3, SPB02N60S5, SPB03N60C3, TK10A60D, SPB04N50C3, SPB04N60C3, SPB04N60S5, SPB07N60C3, SPB07N60S5, SPB08P06PG, SPB100N03S2-03G, SPB10N10LG