Справочник MOSFET. SPB03N60S5

 

SPB03N60S5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPB03N60S5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SPB03N60S5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB03N60S5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  infineon
 spb03n60s5.pdf pdf_icon

SPB03N60S5

SPB03N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technologyID 3.2 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB03N60S5 PG-TO263 Q67040-S4197 03N60S5Maximum RatingsPara

 6.1. Size:484K  infineon
 spb03n60c3.pdf pdf_icon

SPB03N60S5

VDS Tjmax G G

 6.2. Size:258K  inchange semiconductor
 spb03n60c3.pdf pdf_icon

SPB03N60S5

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB03N60C3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... SPA20N60C3 , SPA20N60CFD , SPA20N65C3 , SPA21N50C3 , SPB80N06S-08 , SPB02N60C3 , SPB02N60S5 , SPB03N60C3 , IRFZ24N , SPB04N50C3 , SPB04N60C3 , SPB04N60S5 , SPB07N60C3 , SPB07N60S5 , SPB08P06PG , SPB100N03S2-03G , SPB10N10LG .

History: SWP072R72E7T | SQM120N04-1M7L | IXTT20P50P | 2SK444

 

 
Back to Top

 


 
.