SPB12N50C3 Todos los transistores

 

SPB12N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPB12N50C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SPB12N50C3 Datasheet (PDF)

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SPB12N50C3

SPB12N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11.6 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance-Type Package Ordering Code Marking12N50C3SPB12N50C3 PG-TO263 Q67040-S4641Maximum

Otros transistores... SPB04N60S5 , SPB07N60C3 , SPB07N60S5 , SPB08P06PG , SPB100N03S2-03G , SPB10N10LG , SPB11N60C3 , SPB11N60S5 , 4N60 , SPB16N50C3 , SPB17N80C3 , SPB18P06PG , SPB20N60C3 , SPB20N60S5 , SPB21N50C3 , SPB80N10LG , SPB80P06PG .

History: IXTP220N04T2 | AP9965GEM | P1060AT | WFY3P02 | CS6N80FA9 | FRM130H | HY4306B6

 

 
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