SPB12N50C3 - аналоги и даташиты транзистора

 

SPB12N50C3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SPB12N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SPB12N50C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB12N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1694K  infineon
 spb12n50c3.pdf pdf_icon

SPB12N50C3

SPB12N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11.6 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance-Type Package Ordering Code Marking12N50C3SPB12N50C3 PG-TO263 Q67040-S4641Maximum

Другие MOSFET... SPB04N60S5 , SPB07N60C3 , SPB07N60S5 , SPB08P06PG , SPB100N03S2-03G , SPB10N10LG , SPB11N60C3 , SPB11N60S5 , 4N60 , SPB16N50C3 , SPB17N80C3 , SPB18P06PG , SPB20N60C3 , SPB20N60S5 , SPB21N50C3 , SPB80N10LG , SPB80P06PG .

History: WFF5N65B | AP9965GEM | HY4306P | RQ3E100BN | BUK9230-100B | WFF630 | HY4306B6

 

 
Back to Top

 


 
.