SPB12N50C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPB12N50C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SPB12N50C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB12N50C3 даташит

 ..1. Size:1694K  infineon
 spb12n50c3.pdf pdf_icon

SPB12N50C3

SPB12N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11.6 A Ultra low gate charge PG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance - Type Package Ordering Code Marking 12N50C3 SPB12N50C3 PG-TO263 Q67040-S4641 Maximum

Другие IGBT... SPB04N60S5, SPB07N60C3, SPB07N60S5, SPB08P06PG, SPB100N03S2-03G, SPB10N10LG, SPB11N60C3, SPB11N60S5, AO3407, SPB16N50C3, SPB17N80C3, SPB18P06PG, SPB20N60C3, SPB20N60S5, SPB21N50C3, SPB80N10LG, SPB80P06PG