SPB17N80C3 Todos los transistores

 

SPB17N80C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPB17N80C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SPB17N80C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  infineon
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SPB17N80C3

SPB17N80C3CoolMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS new revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 0.29DS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 91 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TO263 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low effec

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
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SPB17N80C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB17N80C3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

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History: SDF230JDA | SI2334DS | PK516BA | UTM6016G-TA3-T | PSMN7R6-60PS | 7N60G-TF1-T

 

 
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