Справочник MOSFET. SPB17N80C3

 

SPB17N80C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPB17N80C3
   Маркировка: 17N80C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SPB17N80C3

 

 

SPB17N80C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  infineon
 spb17n80c3.pdf

SPB17N80C3 SPB17N80C3

SPB17N80C3CoolMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS new revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 0.29DS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 91 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TO263 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low effec

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 spb17n80c3.pdf

SPB17N80C3 SPB17N80C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB17N80C3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top