SPB17N80C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPB17N80C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SPB17N80C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB17N80C3 даташит

 ..1. Size:426K  infineon
 spb17n80c3.pdf pdf_icon

SPB17N80C3

SPB17N80C3 CoolMOS Power Transistor Product Summary Features V 800 V DS new revolutionary high voltage technology R @ Tj = 25 C 0.29 DS(on)max Extreme dv/dt rated Q 91 nC g,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TO263 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low effec

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 spb17n80c3.pdf pdf_icon

SPB17N80C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB17N80C3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

Другие IGBT... SPB07N60S5, SPB08P06PG, SPB100N03S2-03G, SPB10N10LG, SPB11N60C3, SPB11N60S5, SPB12N50C3, SPB16N50C3, 20N50, SPB18P06PG, SPB20N60C3, SPB20N60S5, SPB21N50C3, SPB80N10LG, SPB80P06PG, SPD01N60C3, SPD02N50C3