Справочник MOSFET. SPB17N80C3

 

SPB17N80C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPB17N80C3
   Маркировка: 17N80C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB17N80C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  infineon
 spb17n80c3.pdf pdf_icon

SPB17N80C3

SPB17N80C3CoolMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS new revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 0.29DS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 91 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TO263 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low effec

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 spb17n80c3.pdf pdf_icon

SPB17N80C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB17N80C3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SPA15N60CFD | NCEP60T12AK

 

 
Back to Top

 


 
.