BF410A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF410A
Tipo de FET: FET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.003 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5000 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BF410A
Principales características: BF410A
bf410a 410b 410c 410d.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF410A to D N-channel silicon field-effect transistors December 1990 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF410A to D DESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANT Asymmetrical N-channel planar 1 = drain epitaxial junction field-effect 2 = sou
Otros transistores... BF245A , BF245B , BF245C , BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , K3569 , BF410B , BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A .
History: JMTI3005A | HR3N187
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K | AP30H60K | AP30H220G | AP30H180K | AP30H150Q | AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S
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