BF410A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BF410A
   Tipo de FET: FET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.003 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5000 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

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BF410A Datasheet (PDF)

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bf410a 410b 410c 410d.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF410A to DN-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1990Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF410A to DDESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANTAsymmetrical N-channel planar1 = drainepitaxial junction field-effect2 = sou

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Liste

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