BF410A Todos los transistores

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BF410A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF410A

Tipo de FET: FET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.003 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 0.5 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 5000 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92

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BF410A Datasheet (PDF)

1.1. bf410a 410b 410c 410d.pdf Size:32K _philips

BF410A
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF410A to D N-channel silicon field-effect transistors December 1990 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF410A to D DESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANT Asymmetrical N-channel planar 1 = drain epitaxial junction field-effect 2 = source

Otros transistores... BF245A , BF245B , BF245C , BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , IRF9540 , BF410B , BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A .

 


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