Справочник MOSFET. BF410A

 

BF410A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BF410A
   Тип транзистора: FET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.003 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5000 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BF410A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  philips
 bf410a 410b 410c 410d.pdf pdf_icon

BF410A

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF410A to DN-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1990Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF410A to DDESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANTAsymmetrical N-channel planar1 = drainepitaxial junction field-effect2 = sou

Другие MOSFET... BF245A , BF245B , BF245C , BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , 2SK3568 , BF410B , BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A .

History: IXFN44N80Q3 | APTM100H45SCTG | FDG6301N | SI4913DY | STW32N55M5 | KF6N60I | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.