BF410A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF410A

Тип транзистора: FET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.003 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 0.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5000 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для BF410A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF410A даташит

 ..1. Size:32K  philips
 bf410a 410b 410c 410d.pdf pdf_icon

BF410A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF410A to D N-channel silicon field-effect transistors December 1990 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF410A to D DESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANT Asymmetrical N-channel planar 1 = drain epitaxial junction field-effect 2 = sou

Другие IGBT... BF245A, BF245B, BF245C, BF327, BF350, BF351, BF352, BF353, K3569, BF410B, BF410C, BF410D, BF510, BF511, BF512, BF513, BF545A