SPB21N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPB21N50C3
   Código: 21N50C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 208 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 21 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.9 V
   Carga de la puerta (Qg): 95 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1200 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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SPB21N50C3 Datasheet (PDF)

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spb21n50c3.pdf

SPB21N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VRDS(on) 0.19 FeatureID 21 A New revolutionary high voltage technologyPG-TO263 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB21N50C3 PG-TO263 Q67040-S4566 21N50C3Maximum Rating

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: OSG80R380KF

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: