SPB21N50C3 Todos los transistores

 

SPB21N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPB21N50C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SPB21N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1286K  infineon
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SPB21N50C3

SPB21N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VRDS(on) 0.19 FeatureID 21 A New revolutionary high voltage technologyPG-TO263 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB21N50C3 PG-TO263 Q67040-S4566 21N50C3Maximum Rating

Otros transistores... SPB11N60C3 , SPB11N60S5 , SPB12N50C3 , SPB16N50C3 , SPB17N80C3 , SPB18P06PG , SPB20N60C3 , SPB20N60S5 , 8N60 , SPB80N10LG , SPB80P06PG , SPD01N60C3 , SPD02N50C3 , SPD02N60C3 , SPD02N60S5 , SPD02N80C3 , SPD03N50C3 .

History: BL20N65-F | 3SK258 | IPN95R3K7P7

 

 
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