SPB21N50C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPB21N50C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO263

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SPB21N50C3 datasheet

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SPB21N50C3

SPB21N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V RDS(on) 0.19 Feature ID 21 A New revolutionary high voltage technology PG-TO263 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPB21N50C3 PG-TO263 Q67040-S4566 21N50C3 Maximum Rating

Otros transistores... SPB11N60C3, SPB11N60S5, SPB12N50C3, SPB16N50C3, SPB17N80C3, SPB18P06PG, SPB20N60C3, SPB20N60S5, IRFZ24N, SPB80N10LG, SPB80P06PG, SPD01N60C3, SPD02N50C3, SPD02N60C3, SPD02N60S5, SPD02N80C3, SPD03N50C3