Справочник MOSFET. SPB21N50C3

 

SPB21N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPB21N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SPB21N50C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB21N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1286K  infineon
 spb21n50c3.pdf pdf_icon

SPB21N50C3

SPB21N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VRDS(on) 0.19 FeatureID 21 A New revolutionary high voltage technologyPG-TO263 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB21N50C3 PG-TO263 Q67040-S4566 21N50C3Maximum Rating

Другие MOSFET... SPB11N60C3 , SPB11N60S5 , SPB12N50C3 , SPB16N50C3 , SPB17N80C3 , SPB18P06PG , SPB20N60C3 , SPB20N60S5 , AON6380 , SPB80N10LG , SPB80P06PG , SPD01N60C3 , SPD02N50C3 , SPD02N60C3 , SPD02N60S5 , SPD02N80C3 , SPD03N50C3 .

History: HGN028NE6AL | BRCS200P03ZJ | CS7456 | STF13N60M2 | SIHFD014 | SI7491DP

 

 
Back to Top

 


 
.