SPD01N60C3 Todos los transistores

 

SPD01N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPD01N60C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SPD01N60C3 Datasheet (PDF)

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SPD01N60C3

SPU01N60C3Rev. 2.0SPD01N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 6 New revolutionary high voltage technologyID 0.8 A Ultra low gate chargeP-TO252 P-TO251-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPU01N60C3 P-TO251-3-1 Q6

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History: BUK7Y07-30B | FTK8205A | FC6B22160L | BUK7K89-100E | RJK5026DPP-M0 | AOT2906 | AUIRFS4115

 

 
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