SPD01N60C3 Todos los transistores

 

SPD01N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPD01N60C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SPD01N60C3 Datasheet (PDF)

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SPD01N60C3

SPU01N60C3Rev. 2.0SPD01N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 6 New revolutionary high voltage technologyID 0.8 A Ultra low gate chargeP-TO252 P-TO251-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPU01N60C3 P-TO251-3-1 Q6

Otros transistores... SPB16N50C3 , SPB17N80C3 , SPB18P06PG , SPB20N60C3 , SPB20N60S5 , SPB21N50C3 , SPB80N10LG , SPB80P06PG , MMIS60R580P , SPD02N50C3 , SPD02N60C3 , SPD02N60S5 , SPD02N80C3 , SPD03N50C3 , SPD03N60C3 , SPD03N60S5 , SPD04N50C3 .

History: WFF7N65S | SPB80P06PG | RQ3E120BN | RQ3E120GN | AM6968NH | JCS12N65BT | NP88N055CLE

 

 
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