Справочник MOSFET. SPD01N60C3

 

SPD01N60C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPD01N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SPD01N60C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD01N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  1
 spd01n60c3 spu01n60c3.pdf pdf_icon

SPD01N60C3

SPU01N60C3Rev. 2.0SPD01N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 6 New revolutionary high voltage technologyID 0.8 A Ultra low gate chargeP-TO252 P-TO251-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPU01N60C3 P-TO251-3-1 Q6

Другие MOSFET... SPB16N50C3 , SPB17N80C3 , SPB18P06PG , SPB20N60C3 , SPB20N60S5 , SPB21N50C3 , SPB80N10LG , SPB80P06PG , AO3401 , SPD02N50C3 , SPD02N60C3 , SPD02N60S5 , SPD02N80C3 , SPD03N50C3 , SPD03N60C3 , SPD03N60S5 , SPD04N50C3 .

History: STN4260 | HMS60N10D | PK5G6EA | FDS6680S | IRF7478PBF-1 | ZXM64N035L3

 

 
Back to Top

 


 
.