SPD01N60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPD01N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD01N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD01N60C3 даташит

 ..1. Size:276K  1
 spd01n60c3 spu01n60c3.pdf pdf_icon

SPD01N60C3

SPU01N60C3 Rev. 2.0 SPD01N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 6 New revolutionary high voltage technology ID 0.8 A Ultra low gate charge P-TO252 P-TO251-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPU01N60C3 P-TO251-3-1 Q6

Другие IGBT... SPB16N50C3, SPB17N80C3, SPB18P06PG, SPB20N60C3, SPB20N60S5, SPB21N50C3, SPB80N10LG, SPB80P06PG, P60NF06, SPD02N50C3, SPD02N60C3, SPD02N60S5, SPD02N80C3, SPD03N50C3, SPD03N60C3, SPD03N60S5, SPD04N50C3