BF410B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF410B
Tipo de FET: FET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.007 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.5 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2000 Ohm
Encapsulados: TO92
Búsqueda de reemplazo de BF410B MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BF410B datasheet
bf410a 410b 410c 410d.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF410A to D N-channel silicon field-effect transistors December 1990 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF410A to D DESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANT Asymmetrical N-channel planar 1 = drain epitaxial junction field-effect 2 = sou
Otros transistores... BF245B , BF245C , BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , IRFP260 , BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B .
History: 2N65G-K08-5060-R
History: 2N65G-K08-5060-R
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent