BF410B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BF410B
Тип транзистора: FET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.007 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.5 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2000 Ohm
Тип корпуса: TO92
BF410B Datasheet (PDF)
bf410a 410b 410c 410d.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF410A to DN-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1990Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF410A to DDESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANTAsymmetrical N-channel planar1 = drainepitaxial junction field-effect2 = sou
Другие MOSFET... BF245B , BF245C , BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , IRF4905 , BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918