Справочник MOSFET. BF410B

 

BF410B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BF410B
   Тип транзистора: FET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.007 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2000 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для BF410B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF410B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:32K  philips
 bf410a 410b 410c 410d.pdf pdf_icon

BF410B

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF410A to DN-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1990Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF410A to DDESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANTAsymmetrical N-channel planar1 = drainepitaxial junction field-effect2 = sou

Другие MOSFET... BF245B , BF245C , BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , 8205A , BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B .

History: IRLR3103 | FDMS3600S | CM55N06 | FQU2N50B

 

 
Back to Top

 


 
.