SPD03N60S5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPD03N60S5

Código: 03N60S5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 38 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5.5 V

Carga de compuerta (Qg): 12.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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SPD03N60S5 Datasheet (PDF)

1.1. spd03n60s5 spu03n60s5.pdf Size:892K _infineon

SPU03N60S5 SPD03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 1.4 Ω • New revolutionary high voltage technology ID 3.2 A • Ultra low gate charge PG-TO252 PG-TO251 • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated 2 • Ultra low effective capacitances 3 3 1 2 1 • Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking 03N60S5 SPU03N60S5 PG-T

2.1. spd03n60c3 spu03n60c3.pdf Size:982K _infineon