Справочник MOSFET. SPD03N60S5

 

SPD03N60S5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SPD03N60S5

Маркировка: 03N60S5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 12.4 nC

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 150 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD03N60S5

 

 

SPD03N60S5 Datasheet (PDF)

1.1. spd03n60s5 spu03n60s5.pdf Size:892K _infineon

SPD03N60S5
SPD03N60S5

SPU03N60S5 SPD03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 1.4 Ω • New revolutionary high voltage technology ID 3.2 A • Ultra low gate charge PG-TO252 PG-TO251 • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated 2 • Ultra low effective capacitances 3 3 1 2 1 • Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking 03N60S5 SPU03N60S5 PG-T

2.1. spd03n60c3 spu03n60c3.pdf Size:982K _infineon

SPD03N60S5
SPD03N60S5

 VDS Tjmax Ω • • G G • • • • G

 4.1. spd03n50c3.pdf Size:625K _infineon

SPD03N60S5
SPD03N60S5

 VDS Tjmax Ω • • G • • • • G

Другие MOSFET... SPB80P06PG , SPD01N60C3 , SPD02N50C3 , SPD02N60C3 , SPD02N60S5 , SPD02N80C3 , SPD03N50C3 , SPD03N60C3 , 2SK163 , SPD04N50C3 , SPD04N60C3 , SPD04N60S5 , SPD04N80C3 , SPD04P10PG , SPD04P10PLG , SPD06N60C3 , SPD06N80C3 .

 

 
Back to Top