SPD04N60C3 Todos los transistores

 

SPD04N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPD04N60C3

Código: 04N60C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3.9 V

Carga de compuerta (Qg): 19 nC

Tiempo de elevación (tr): 2.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.95 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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SPD04N60C3 Datasheet (PDF)

0.1. spd04n60c3 spu04n60c3.pdf Size:744K _infineon

SPD04N60C3
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VDS Tjmax G G G G

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SPD04N60C3
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isc N-Channel MOSFET Transistor SPD04N60C3,ISPD04N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.95Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityImproved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. spd04n60s5 spu04n60s5.pdf Size:268K _1

SPD04N60C3
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SPU04N60S5SPD04N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technologyID 4.5 A Ultra low gate chargeP-TO252. P-TO251. Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated23 Ultra low effective capacitances3121 Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking04N60S5SPU04N60S5 P-T

6.2. spd04n60s5.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

SPD04N60C3
SPD04N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD04N60S5,ISPD04N60S5FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.95Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600

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