SPD04N60C3 Todos los transistores

 

SPD04N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPD04N60C3

Código: 04N60C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.9 V

Carga de compuerta (Qg): 19 nC

Tiempo de elevación (tr): 2.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.95 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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SPD04N60C3 Datasheet (PDF)

1.1. spd04n60c3 spu04n60c3.pdf Size:744K _infineon

SPD04N60C3
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 VDS Tjmax Ω • • G G • • • • G G

2.1. spd04n60s5 spu04n60s5.pdf Size:268K _1

SPD04N60C3
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SPU04N60S5 SPD04N60S5 Cool MOS™ Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 0.95 Ω • New revolutionary high voltage technology ID 4.5 A • Ultra low gate charge P-TO252. P-TO251. • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated 2 3 • Ultra low effective capacitances 3 1 2 1 • Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking 04N60S5 SPU04N60S5 P-T

 4.1. spd04n50c3.pdf Size:769K _infineon

SPD04N60C3
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 VDS Tjmax Ω • • G • • • • G

4.2. spd04n80c3.pdf Size:491K _infineon

SPD04N60C3
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SPD04N80C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V 800 V DS • New revolutionary high voltage technology R @ Tj = 25°C 1.3 Ω DS(on)max • Extreme dv/dt rated Q 23 nC g,typ • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant PG-TO252-3 • Ultra low gate charge • Ultra low effe

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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