Справочник MOSFET. SPD04N60C3

 

SPD04N60C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SPD04N60C3

Маркировка: 04N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 19 nC

Время нарастания (tr): 2.5 ns

Выходная емкость (Cd): 160 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD04N60C3

 

 

SPD04N60C3 Datasheet (PDF)

0.1. spd04n60c3 spu04n60c3.pdf Size:744K _infineon

SPD04N60C3
SPD04N60C3

VDS Tjmax G G G G

0.2. spd04n60c3.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

SPD04N60C3
SPD04N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD04N60C3,ISPD04N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.95Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityImproved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. spd04n60s5 spu04n60s5.pdf Size:268K _1

SPD04N60C3
SPD04N60C3

SPU04N60S5SPD04N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technologyID 4.5 A Ultra low gate chargeP-TO252. P-TO251. Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated23 Ultra low effective capacitances3121 Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking04N60S5SPU04N60S5 P-T

6.2. spd04n60s5.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

SPD04N60C3
SPD04N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD04N60S5,ISPD04N60S5FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.95Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600

Другие MOSFET... SPD02N50C3 , SPD02N60C3 , SPD02N60S5 , SPD02N80C3 , SPD03N50C3 , SPD03N60C3 , SPD03N60S5 , SPD04N50C3 , BUZ90A , SPD04N60S5 , SPD04N80C3 , SPD04P10PG , SPD04P10PLG , SPD06N60C3 , SPD06N80C3 , SPD07N20G , SPD07N60C3 .

 

 
Back to Top