Справочник MOSFET. SPD04N60C3

 

SPD04N60C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPD04N60C3
   Маркировка: 04N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD04N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  infineon
spd04n60c3 spu04n60c3.pdfpdf_icon

SPD04N60C3

VDS Tjmax G G G G

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
spd04n60c3.pdfpdf_icon

SPD04N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD04N60C3,ISPD04N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.95Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityImproved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. Size:268K  1
spd04n60s5 spu04n60s5.pdfpdf_icon

SPD04N60C3

SPU04N60S5SPD04N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technologyID 4.5 A Ultra low gate chargeP-TO252. P-TO251. Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated23 Ultra low effective capacitances3121 Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking04N60S5SPU04N60S5 P-T

 6.2. Size:244K  inchange semiconductor
spd04n60s5.pdfpdf_icon

SPD04N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD04N60S5,ISPD04N60S5FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.95Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDC654P | STW15NB50

 

 
Back to Top

 


 
.