SPD06N60C3 Todos los transistores

 

SPD06N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPD06N60C3

Código: 06N60C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 74 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.9 V

Carga de compuerta (Qg): 24 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.75 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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SPD06N60C3 Datasheet (PDF)

1.1. spd06n60c3.pdf Size:636K _infineon

SPD06N60C3
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SPD06N60C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V @ T 650 V DS j,max • New revolutionary high voltage technology R 0.75 Ω DS(on),max • Ultra low gate charge I 6.2 A D • Periodic avalanche rated • High peak current capability • Ultra low effective capacitances PG-TO252 • Extreme dv /dt rated • Improved transconductance Type Package Ordering Code

4.1. spd06n80c3.pdf Size:554K _infineon

SPD06N60C3
SPD06N60C3

SPD06N80C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V 800 V DS • New revolutionary high voltage technology R @ Tj = 25°C 0.9 Ω DS(on)max • Extreme dv/dt rated Q 31 nC g,typ • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant PG-TO252-3 • Ultra low gate charge • Ultra low effe

 

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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