SPD06N60C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPD06N60C3
Маркировка: 06N60C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SPD06N60C3
SPD06N60C3 Datasheet (PDF)
spd06n60c3.pdf
SPD06N60C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ T 650 VDS j,max New revolutionary high voltage technologyR 0.75DS(on),max Ultra low gate chargeI 6.2 AD Periodic avalanche rated High peak current capability Ultra low effective capacitancesPG-TO252 Extreme dv /dt rated Improved transconductanceType Package Ordering Code
spd06n60c3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SPD06N60C3,ISPD06N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.75Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage
spd06n80c3.pdf
SPD06N80C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS New revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 0.9DS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 31 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TO252-3 Ultra low gate charge Ultra low effe
spd06n80c3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SPD06N80C3,ISPD06N80C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.9Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 8
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
