SPD09P06PLG Todos los transistores

 

SPD09P06PLG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPD09P06PLG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 168 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SPD09P06PLG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:576K  infineon
 spd09p06pl.pdf pdf_icon

SPD09P06PLG

SPD09P06PL GSIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS-60 V P-Channel P-channelRDS(on) 0.25 Enhancement mode Enhancement modeID -9.7 A Logic Level Logic Level prueb 175C operating temperaturePG-TO252-3 175C operating temperature Avalanche rated Avalanche rated dv/dt rated dv/dt rated Pb-free lead

 9.1. Size:891K  cn vbsemi
 spd09n05.pdf pdf_icon

SPD09P06PLG

SPD09N05www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters

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