SPD09P06PLG - аналоги и даташиты транзистора

 

SPD09P06PLG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SPD09P06PLG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 168 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SPD09P06PLG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD09P06PLG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:576K  infineon
 spd09p06pl.pdf pdf_icon

SPD09P06PLG

SPD09P06PL GSIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS-60 V P-Channel P-channelRDS(on) 0.25 Enhancement mode Enhancement modeID -9.7 A Logic Level Logic Level prueb 175C operating temperaturePG-TO252-3 175C operating temperature Avalanche rated Avalanche rated dv/dt rated dv/dt rated Pb-free lead

 9.1. Size:891K  cn vbsemi
 spd09n05.pdf pdf_icon

SPD09P06PLG

SPD09N05www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters

Другие MOSFET... SPD04P10PLG , SPD06N60C3 , SPD06N80C3 , SPD07N20G , SPD07N60C3 , SPD07N60S5 , SPD08N50C3 , SPD08P06PG , IRFP064N , SPD15P10PG , SPD15P10PLG , SPD18P06PG , SPD30N03S2L-07G , SPD30N03S2L-10G , SPD30N03S2L-20G , SPD30P06PG , SPD50N03S2-07G .

History: IPP083N10N5

 

 
Back to Top

 


 
.