SPD09P06PLG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPD09P06PLG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 168 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD09P06PLG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD09P06PLG даташит

 4.1. Size:576K  infineon
 spd09p06pl.pdf pdf_icon

SPD09P06PLG

SPD09P06PL G SIPMOS =Power-Transistor = == Product Summary Feature VDS -60 V P-Channel P-channel RDS(on) 0.25 Enhancement mode Enhancement mode ID -9.7 A Logic Level Logic Level prueb 175 C operating temperature PG-TO252-3 175 C operating temperature Avalanche rated Avalanche rated dv/dt rated dv/dt rated Pb-free lead

 9.1. Size:891K  cn vbsemi
 spd09n05.pdf pdf_icon

SPD09P06PLG

SPD09N05 www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization 60 19.8 For definitions of compliance please see 0.085 at VGS = 4.5 V 13.2 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Converters DC/AC Inverters

Другие IGBT... SPD04P10PLG, SPD06N60C3, SPD06N80C3, SPD07N20G, SPD07N60C3, SPD07N60S5, SPD08N50C3, SPD08P06PG, IRFP064N, SPD15P10PG, SPD15P10PLG, SPD18P06PG, SPD30N03S2L-07G, SPD30N03S2L-10G, SPD30N03S2L-20G, SPD30P06PG, SPD50N03S2-07G