BF410D Todos los transistores

 

BF410D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF410D
   Tipo de FET: FET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.018 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 500 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BF410D datasheet

 9.1. Size:32K  philips
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BF410D

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF410A to D N-channel silicon field-effect transistors December 1990 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF410A to D DESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANT Asymmetrical N-channel planar 1 = drain epitaxial junction field-effect 2 = sou

Otros transistores... BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , SPP20N60C3 , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A .

 

 
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