BF410D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF410D
Tipo de FET: FET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.018 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 500 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
- Selección de transistores por parámetros
BF410D Datasheet (PDF)
bf410a 410b 410c 410d.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF410A to DN-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1990Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF410A to DDESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANTAsymmetrical N-channel planar1 = drainepitaxial junction field-effect2 = sou
Otros transistores... BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , IRFP450 , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A .
History: FMC07N50E | RU75N08L | CS740A0H | TSM4N80CZ | KE3587-G | IRFS640B | JFFM13N65D
History: FMC07N50E | RU75N08L | CS740A0H | TSM4N80CZ | KE3587-G | IRFS640B | JFFM13N65D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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