BF410D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF410D
Tipo de FET: FET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.018 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.5 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 500 Ohm
Encapsulados: TO92
Búsqueda de reemplazo de BF410D MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BF410D datasheet
bf410a 410b 410c 410d.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF410A to D N-channel silicon field-effect transistors December 1990 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF410A to D DESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANT Asymmetrical N-channel planar 1 = drain epitaxial junction field-effect 2 = sou
Otros transistores... BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , SPP20N60C3 , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966 | AONR62992 | AON7400B | AON6578 | AO3480C | AO3400C | HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C
Popular searches
tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667