BF410D - описание и поиск аналогов

 

BF410D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BF410D
   Тип транзистора: FET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.018 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для BF410D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF410D технические параметры

 9.1. Size:32K  philips
 bf410a 410b 410c 410d.pdf pdf_icon

BF410D

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF410A to D N-channel silicon field-effect transistors December 1990 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF410A to D DESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANT Asymmetrical N-channel planar 1 = drain epitaxial junction field-effect 2 = sou

Другие MOSFET... BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , SPP20N60C3 , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A .

 

 
Back to Top

 


 
.