BF410D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF410D  📄📄 

Тип транзистора: FET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.018 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 0.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm

Тип корпуса: TO92

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BF410D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF410D даташит

 9.1. Size:32K  philips
 bf410a 410b 410c 410d.pdf pdf_icon

BF410D

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF410A to D N-channel silicon field-effect transistors December 1990 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF410A to D DESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANT Asymmetrical N-channel planar 1 = drain epitaxial junction field-effect 2 = sou

Другие IGBT... BF327, BF350, BF351, BF352, BF353, BF410A, BF410B, BF410C, IRFP260, BF510, BF511, BF512, BF513, BF545A, BF545B, BF545C, BF556A