BF410D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BF410D
Тип транзистора: FET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.018 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm
Тип корпуса: TO92
Аналог (замена) для BF410D
BF410D Datasheet (PDF)
9.1. Size:32K philips
bf410a 410b 410c 410d.pdf
bf410a 410b 410c 410d.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF410A to DN-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1990Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF410A to DDESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANTAsymmetrical N-channel planar1 = drainepitaxial junction field-effect2 = sou
Другие MOSFET... BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , AON7410 , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A .
