Справочник MOSFET. BF410D

 

BF410D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BF410D
   Тип транзистора: FET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.018 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BF410D Datasheet (PDF)

 9.1. Size:32K  philips
 bf410a 410b 410c 410d.pdf pdf_icon

BF410D

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF410A to DN-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1990Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF410A to DDESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANTAsymmetrical N-channel planar1 = drainepitaxial junction field-effect2 = sou

Другие MOSFET... BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , IRFP450 , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A .

 

 
Back to Top

 


 
.