SPD18P06PG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPD18P06PG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPD18P06PG

SPD18P06PG Datasheet (PDF)

5.1. Size:561K infineon
spd18p06p.pdf

SPD18P06P G SIPMOS Power-TransistorFeaturesProduct Summary P-Channel Drain source voltage VDS -60 V Enhancement modeDrain-source on-state resistance RDS(on) 0.13 Avalanche rated Continuous drain current ID -18.6 A dv/dt rated 175C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliantPin 1 PIN 2/4 PIN 3Type PackageG D SSPD18P06P G PG-TO252-3Maximum Ratin

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: