SPD18P06PG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPD18P06PG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: TO252

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SPD18P06PG datasheet

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SPD18P06PG

SPD18P06P G SIPMOS Power-Transistor Features Product Summary P-Channel Drain source voltage VDS -60 V Enhancement mode Drain-source on-state resistance RDS(on) 0.13 Avalanche rated Continuous drain current ID -18.6 A dv/dt rated 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Pin 1 PIN 2/4 PIN 3 Type Package G D S SPD18P06P G PG-TO252-3 Maximum Ratin

Otros transistores... SPD07N20G, SPD07N60C3, SPD07N60S5, SPD08N50C3, SPD08P06PG, SPD09P06PLG, SPD15P10PG, SPD15P10PLG, IRFZ44N, SPD30N03S2L-07G, SPD30N03S2L-10G, SPD30N03S2L-20G, SPD30P06PG, SPD50N03S2-07G, SPD50N03S2L-06G, SPD50P03LG, SPI80N06S-08