SPD18P06PG Todos los transistores

 

SPD18P06PG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPD18P06PG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SPD18P06PG Datasheet (PDF)

 5.1. Size:561K  infineon
 spd18p06p.pdf pdf_icon

SPD18P06PG

SPD18P06P G SIPMOS Power-TransistorFeaturesProduct Summary P-Channel Drain source voltage VDS -60 V Enhancement modeDrain-source on-state resistance RDS(on) 0.13 Avalanche rated Continuous drain current ID -18.6 A dv/dt rated 175C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliantPin 1 PIN 2/4 PIN 3Type PackageG D SSPD18P06P G PG-TO252-3Maximum Ratin

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSF70N10A | AP6679BMT | WFW40N25W | HY3312P | FDS6892A | RQ5L015SP | NTLJS4159NT1G

 

 
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