Справочник MOSFET. SPD18P06PG

 

SPD18P06PG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPD18P06PG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD18P06PG Datasheet (PDF)

 5.1. Size:561K  infineon
 spd18p06p.pdf pdf_icon

SPD18P06PG

SPD18P06P G SIPMOS Power-TransistorFeaturesProduct Summary P-Channel Drain source voltage VDS -60 V Enhancement modeDrain-source on-state resistance RDS(on) 0.13 Avalanche rated Continuous drain current ID -18.6 A dv/dt rated 175C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliantPin 1 PIN 2/4 PIN 3Type PackageG D SSPD18P06P G PG-TO252-3Maximum Ratin

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP50N05LFI | SSM6L36TU | MTB03N03H8 | HM7002KDW | HGA080N10S | MDF13N50BTH | FQD2N90TF

 

 
Back to Top

 


 
.