Справочник MOSFET. SPD18P06PG

 

SPD18P06PG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPD18P06PG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SPD18P06PG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD18P06PG Datasheet (PDF)

 5.1. Size:561K  infineon
 spd18p06p.pdf pdf_icon

SPD18P06PG

SPD18P06P G SIPMOS Power-TransistorFeaturesProduct Summary P-Channel Drain source voltage VDS -60 V Enhancement modeDrain-source on-state resistance RDS(on) 0.13 Avalanche rated Continuous drain current ID -18.6 A dv/dt rated 175C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliantPin 1 PIN 2/4 PIN 3Type PackageG D SSPD18P06P G PG-TO252-3Maximum Ratin

Другие MOSFET... SPD07N20G , SPD07N60C3 , SPD07N60S5 , SPD08N50C3 , SPD08P06PG , SPD09P06PLG , SPD15P10PG , SPD15P10PLG , IRFZ44N , SPD30N03S2L-07G , SPD30N03S2L-10G , SPD30N03S2L-20G , SPD30P06PG , SPD50N03S2-07G , SPD50N03S2L-06G , SPD50P03LG , SPI80N06S-08 .

History: STP10NB50FP

 

 
Back to Top

 


 
.