SPD18P06PG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPD18P06PG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD18P06PG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD18P06PG даташит

 5.1. Size:561K  infineon
 spd18p06p.pdf pdf_icon

SPD18P06PG

SPD18P06P G SIPMOS Power-Transistor Features Product Summary P-Channel Drain source voltage VDS -60 V Enhancement mode Drain-source on-state resistance RDS(on) 0.13 Avalanche rated Continuous drain current ID -18.6 A dv/dt rated 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Pin 1 PIN 2/4 PIN 3 Type Package G D S SPD18P06P G PG-TO252-3 Maximum Ratin

Другие IGBT... SPD07N20G, SPD07N60C3, SPD07N60S5, SPD08N50C3, SPD08P06PG, SPD09P06PLG, SPD15P10PG, SPD15P10PLG, IRFZ44N, SPD30N03S2L-07G, SPD30N03S2L-10G, SPD30N03S2L-20G, SPD30P06PG, SPD50N03S2-07G, SPD50N03S2L-06G, SPD50P03LG, SPI80N06S-08