SPI12N50C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPI12N50C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO262

 Búsqueda de reemplazo de SPI12N50C3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SPI12N50C3 datasheet

 ..1. Size:844K  1
 spa12n50c3 spi12n50c3 spp12n50c3.pdf pdf_icon

SPI12N50C3

SPP12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11.6 A Ultra low gate charge PG-TO220-3-31 PG-TO262- PG-TO220 Periodic avalanche rated 2 Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 3 2 1 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance P-TO220-3

Otros transistores... SPI07N60S5, SPI07N65C3, SPI08N50C3, SPI08N80C3, SPI11N60C3, SPI11N60CFD, SPI11N60S5, SPI11N65C3, IRF3710, SPI15N60C3, SPI15N60CFD, SPI15N65C3, SPI16N50C3, SPI20N60C3, SPI20N60CFD, SPI20N65C3, SPI21N50C3