SPI12N50C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPI12N50C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SPI12N50C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPI12N50C3 даташит

 ..1. Size:844K  1
 spa12n50c3 spi12n50c3 spp12n50c3.pdf pdf_icon

SPI12N50C3

SPP12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11.6 A Ultra low gate charge PG-TO220-3-31 PG-TO262- PG-TO220 Periodic avalanche rated 2 Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 3 2 1 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance P-TO220-3

Другие IGBT... SPI07N60S5, SPI07N65C3, SPI08N50C3, SPI08N80C3, SPI11N60C3, SPI11N60CFD, SPI11N60S5, SPI11N65C3, IRF3710, SPI15N60C3, SPI15N60CFD, SPI15N65C3, SPI16N50C3, SPI20N60C3, SPI20N60CFD, SPI20N65C3, SPI21N50C3