Справочник MOSFET. SPI12N50C3

 

SPI12N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPI12N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для SPI12N50C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPI12N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  1
 spa12n50c3 spi12n50c3 spp12n50c3.pdf pdf_icon

SPI12N50C3

SPP12N50C3SPI12N50C3, SPA12N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11.6 A Ultra low gate chargePG-TO220-3-31 PG-TO262- PG-TO220 Periodic avalanche rated2 Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances 2 3211P-TO220-3-31 Improved transconductanceP-TO220-3

Другие MOSFET... SPI07N60S5 , SPI07N65C3 , SPI08N50C3 , SPI08N80C3 , SPI11N60C3 , SPI11N60CFD , SPI11N60S5 , SPI11N65C3 , P55NF06 , SPI15N60C3 , SPI15N60CFD , SPI15N65C3 , SPI16N50C3 , SPI20N60C3 , SPI20N60CFD , SPI20N65C3 , SPI21N50C3 .

History: WFF12N60 | VS3633GE | BSP122 | IPC50N04S5L-5R5 | DMN10H170SK3 | AFP3425 | STD5N20

 

 
Back to Top

 


 
.