SPI16N50C3 Todos los transistores

 

SPI16N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPI16N50C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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SPI16N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:723K  infineon
 spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 rev.3.2.pdf pdf_icon

SPI16N50C3

SPP16N50C3SPI16N50C3, SPA16N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 16 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated2 Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances2 3211P-TO220-3-31 Improved transconductanceP-TO220-3-1

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History: IRF634SPBF | STL51N3LLH5 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | BRCS045N10SHBD

 

 
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