SPI16N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SPI16N50C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для SPI16N50C3
SPI16N50C3 Datasheet (PDF)
spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 rev.3.2.pdf

SPP16N50C3SPI16N50C3, SPA16N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 16 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated2 Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances2 3211P-TO220-3-31 Improved transconductanceP-TO220-3-1
Другие MOSFET... SPI11N60C3 , SPI11N60CFD , SPI11N60S5 , SPI11N65C3 , SPI12N50C3 , SPI15N60C3 , SPI15N60CFD , SPI15N65C3 , IRF9540 , SPI20N60C3 , SPI20N60CFD , SPI20N65C3 , SPI21N50C3 , SPP02N60C3 , SPP02N60S5 , SPP02N80C3 , SPP03N60C3 .
History: AP9585GM | SQJ410EP | 1N60L-T60-K | FDI047AN08A0
History: AP9585GM | SQJ410EP | 1N60L-T60-K | FDI047AN08A0



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g