SPI21N50C3 Todos los transistores

 

SPI21N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPI21N50C3
   Código: 21N50C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 95 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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SPI21N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  infineon
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SPI21N50C3

SPP21N50C3SPI21N50C3, SPA21N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 21 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220FP P G-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21 Ultra low effective capacitances Improved transconductance

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
 spi21n50c3.pdf pdf_icon

SPI21N50C3

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SPI21N50C3FEATURESWith TO-262(I2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceImproved transconductance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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History: AP4501AGEM-HF | 2SK2158 | GP2M007A065XG | VP3203N3 | AP6N1R7CDT

 

 
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