Справочник MOSFET. SPI21N50C3

 

SPI21N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPI21N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для SPI21N50C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPI21N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  infineon
 spp21n50c3 spi21n50c3 spa21n50c3.pdf pdf_icon

SPI21N50C3

SPP21N50C3SPI21N50C3, SPA21N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 21 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220FP P G-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21 Ultra low effective capacitances Improved transconductance

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
 spi21n50c3.pdf pdf_icon

SPI21N50C3

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SPI21N50C3FEATURESWith TO-262(I2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceImproved transconductance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... SPI12N50C3 , SPI15N60C3 , SPI15N60CFD , SPI15N65C3 , SPI16N50C3 , SPI20N60C3 , SPI20N60CFD , SPI20N65C3 , AON7408 , SPP02N60C3 , SPP02N60S5 , SPP02N80C3 , SPP03N60C3 , SPP03N60S5 , SPP04N50C3 , SPP04N60C3 , SPP04N60S5 .

History: AP6N6R5LMT-L | AOUS66920 | SQD19P06-60L | CSD17309Q3 | 12N65KG-TF

 

 
Back to Top

 


 
.