SPI21N50C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPI21N50C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SPI21N50C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPI21N50C3 даташит

 ..1. Size:751K  infineon
 spp21n50c3 spi21n50c3 spa21n50c3.pdf pdf_icon

SPI21N50C3

SPP21N50C3 SPI21N50C3, SPA21N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technology ID 21 A Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220FP P G-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 3 Extreme dv/dt rated 2 1 Ultra low effective capacitances Improved transconductance

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
 spi21n50c3.pdf pdf_icon

SPI21N50C3

Другие IGBT... SPI12N50C3, SPI15N60C3, SPI15N60CFD, SPI15N65C3, SPI16N50C3, SPI20N60C3, SPI20N60CFD, SPI20N65C3, IRFP250N, SPP02N60C3, SPP02N60S5, SPP02N80C3, SPP03N60C3, SPP03N60S5, SPP04N50C3, SPP04N60C3, SPP04N60S5