BF512 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF512
Código: S8_S8p
Tipo de FET: FET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.012 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de BF512 MOSFET
BF512 Datasheet (PDF)
bf510 bf511 bf512 bf513 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planarBF510 = S6pepitaxial junction field-effectBF511 = S7pt
bf510 bf511 bf512 bf513.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effect transistorsProduct specification December 1997NXP Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planar BF510 = S6pepitaxial junction field-effect BF511 = S7ptransistors in the miniature plastic BF51
Otros transistores... BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , TK10A60D , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A , BF556B , BF556C , BF805 .



Liste
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