BF512 Todos los transistores

 

BF512 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF512
   Tipo de FET: FET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.012 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

BF512 Datasheet (PDF)

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BF512

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planarBF510 = S6pepitaxial junction field-effectBF511 = S7pt

 ..2. Size:234K  philips
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BF512

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effect transistorsProduct specification December 1997NXP Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planar BF510 = S6pepitaxial junction field-effect BF511 = S7ptransistors in the miniature plastic BF51

Otros transistores... BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , AON7506 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A , BF556B , BF556C , BF805 .

History: VS3620DP-G | 2SJ152

 

 
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