BF512 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BF512
Тип транзистора: FET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.012 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.4 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для BF512
BF512 Datasheet (PDF)
bf510 bf511 bf512 bf513 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planarBF510 = S6pepitaxial junction field-effectBF511 = S7pt
bf510 bf511 bf512 bf513.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effect transistorsProduct specification December 1997NXP Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planar BF510 = S6pepitaxial junction field-effect BF511 = S7ptransistors in the miniature plastic BF51
Другие MOSFET... BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , AO4407 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A , BF556B , BF556C , BF805 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41