BF512 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги BF512. Основные параметры


   Наименование производителя: BF512
   Тип транзистора: FET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.012 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для BF512

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF512 даташит

 ..1. Size:34K  philips
 bf510 bf511 bf512 bf513 cnv 2.pdf pdf_icon

BF512

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF510 to 513 N-channel silicon field-effect transistors December 1997 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513 DESCRIPTION MARKING CODE Asymmetrical N-channel planar BF510 = S6p epitaxial junction field-effect BF511 = S7p t

 ..2. Size:234K  philips
 bf510 bf511 bf512 bf513.pdf pdf_icon

BF512

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF510 to 513 N-channel silicon field-effect transistors Product specification December 1997 NXP Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513 DESCRIPTION MARKING CODE Asymmetrical N-channel planar BF510 = S6p epitaxial junction field-effect BF511 = S7p transistors in the miniature plastic BF51

Другие MOSFET... BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , 13N50 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A , BF556B , BF556C , BF805 .

 

 
Back to Top

 


 
.