SPP12N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPP12N50C3
   Código: 12N50C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 49 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SPP12N50C3 Datasheet (PDF)

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spa12n50c3 spi12n50c3 spp12n50c3.pdf

SPP12N50C3SPI12N50C3, SPA12N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11.6 A Ultra low gate chargePG-TO220-3-31 PG-TO262- PG-TO220 Periodic avalanche rated2 Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances 2 3211P-TO220-3-31 Improved transconductanceP-TO220-3

..2. Size:248K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor SPP12N50C3ISPP12N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.38Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONNew revolutionary high voltage technologyUltra low effective capacitanceABSOLUTE MAXIMUM

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Liste

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