SPP12N50C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPP12N50C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SPP12N50C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP12N50C3 даташит

 ..1. Size:844K  1
 spa12n50c3 spi12n50c3 spp12n50c3.pdf pdf_icon

SPP12N50C3

SPP12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11.6 A Ultra low gate charge PG-TO220-3-31 PG-TO262- PG-TO220 Periodic avalanche rated 2 Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 3 2 1 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance P-TO220-3

 ..2. Size:248K  inchange semiconductor
 spp12n50c3.pdf pdf_icon

SPP12N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP12N50C3 ISPP12N50C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.38 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION New revolutionary high voltage technology Ultra low effective capacitance ABSOLUTE MAXIMUM

Другие IGBT... SPP08N50C3, SPP08N80C3, SPP08P06PH, SPP11N60C3, SPP11N60CFD, SPP11N60S5, SPP11N65C3, SPP11N80C3, IRF530, SPP15N60C3, SPP15N60CFD, SPP15N65C3, SPP15P10PG, SPP15P10PLH, SPP16N50C3, SPP17N80C3, SPP18P06PH