Справочник MOSFET. SPP12N50C3

 

SPP12N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPP12N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SPP12N50C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP12N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  1
 spa12n50c3 spi12n50c3 spp12n50c3.pdf pdf_icon

SPP12N50C3

SPP12N50C3SPI12N50C3, SPA12N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11.6 A Ultra low gate chargePG-TO220-3-31 PG-TO262- PG-TO220 Periodic avalanche rated2 Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances 2 3211P-TO220-3-31 Improved transconductanceP-TO220-3

 ..2. Size:248K  inchange semiconductor
 spp12n50c3.pdf pdf_icon

SPP12N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP12N50C3ISPP12N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.38Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONNew revolutionary high voltage technologyUltra low effective capacitanceABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... SPP08N50C3 , SPP08N80C3 , SPP08P06PH , SPP11N60C3 , SPP11N60CFD , SPP11N60S5 , SPP11N65C3 , SPP11N80C3 , AO4407 , SPP15N60C3 , SPP15N60CFD , SPP15N65C3 , SPP15P10PG , SPP15P10PLH , SPP16N50C3 , SPP17N80C3 , SPP18P06PH .

History: AM90N04-01P | 6N65KG-TMS2-T | BUK104-50S | CHT2302GP | BF1210 | 2SJ506L

 

 
Back to Top

 


 
.