Справочник MOSFET. SPP12N50C3

 

SPP12N50C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPP12N50C3
   Маркировка: 12N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SPP12N50C3

 

 

SPP12N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  1
 spa12n50c3 spi12n50c3 spp12n50c3.pdf

SPP12N50C3 SPP12N50C3

SPP12N50C3SPI12N50C3, SPA12N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11.6 A Ultra low gate chargePG-TO220-3-31 PG-TO262- PG-TO220 Periodic avalanche rated2 Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances 2 3211P-TO220-3-31 Improved transconductanceP-TO220-3

 ..2. Size:248K  inchange semiconductor
 spp12n50c3.pdf

SPP12N50C3 SPP12N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP12N50C3ISPP12N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.38Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONNew revolutionary high voltage technologyUltra low effective capacitanceABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top